ترانزستور ثنائي القطب معزول البوابات (Q3512)

من Marefa data
three-terminal power semiconductor device الإنجليزية
اللغة التسمية الوصف أسماء أخرى
العربية
ترانزستور ثنائي القطب معزول البوابات
لا يوجد وصف
    الإنجليزية
    insulated-gate bipolar transistor
    three-terminal power semiconductor device
    • IGBT

    بيانات

    Wikidata item الإنجليزية
    ٠ مرجع
    Commons category الإنجليزية
    Insulated gate bipolar transistors
    ١ مراجع
    Imported from Wikidata item الإنجليزية
    subclass of الإنجليزية
    Freebase ID الإنجليزية
    ١ مراجع
    Imported from Wikidata item الإنجليزية
    GND ID الإنجليزية
    ١ مراجع
    Imported from Wikidata item الإنجليزية
    Microsoft Academic ID الإنجليزية
    ١ مراجع
    Imported from Wikidata item الإنجليزية
    image الإنجليزية
    IGBT 2441.JPG
    ٢٬٥٩٢ × ١٬٩٤٤؛ ٢٫٦٤ ميجابايت
    ١ مراجع
    Imported from Wikidata item الإنجليزية
    Commons gallery الإنجليزية
    Insulated gate bipolar transistor
    ١ مراجع
    Imported from Wikidata item الإنجليزية
    topic's main category الإنجليزية
    ١ مراجع
    Imported from Wikidata item الإنجليزية
    time of discovery or invention الإنجليزية
    1959http://data.marefa.org/entity/Q1985727
    ١ مراجع
    Imported from Wikidata item الإنجليزية